全球MOSFET竞争格局国产维安半导体崛起

         全球市场份额看，MOSFET几乎都集中在国际大厂手中，英飞凌收购了IR成为行业龙头，安森美也完成对仙童半导体的收购后，市占率跃
升至第二，然后销售排名分别是瑞萨、东芝、万国、ST、威世、安世、美格纳等等；

       与活跃于中国大陆的国际厂商相比，国产企业优势不明显，但这不能说国产没有机会，中国大陆是世界上产业链最齐全的经济活跃区，在
功率半导体领域活跃着一批本土制造企业，目前已基本完成产业链布局，且处于快速发展中；特别是MOSFET领域，国产在中低压领域替换进
口品牌潜力最大，且部分国产、如士兰、华润微、吉林华微，新洁能，维安WAYON等都在努力进入世界排名；

主流MOS管品牌

MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、国产。

美系：英飞凌、IR，仙童，安森美，ST，TI ，PI，AOS美国万代半导体等；

日系：东芝，瑞萨，ROHM罗姆等；

韩系：美格纳，KEC，AUK，森名浩，信安，KIA

国产：上海维安电子有限公司，吉林华微电子股份有限公司，扬州扬杰电子科技股份有限公司，杭州士兰微电子股份有限公司，华润微电子
（重庆）有限公司，无锡新洁能，西安后裔，深圳锐俊半导体，无锡华润华晶微电子有限公司，江苏东晨电子科技有限公司，东微半导体，威
兆半导体，苏州硅能，无锡市芯途半导体有限公司

国产台系：ANPEC，CET，友顺UTC

维安WAYON MOS管封装分类

按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。

1、表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管
(SOT)、小外形封装(SOP)、
方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。

2、维安WAYON晶体管外形封装(TO)

属于早期的封装规格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封装设计。

由于插入式封装工艺焊接成本高、散热性能也不如贴片式产品，使得表面贴装市场需求量不断增大，也使得TO封装发展到表面贴装式封装。

TO-252(又称之为D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面贴装封装。

3、小外形封装(SOP)

SOP(Small Out-Line Package)是表面贴装型封装之一，也称之为SOL或DFP，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)。材料有塑料和陶瓷两
种。SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，

4、方形扁平式封装(QFP)

QFP(Plastic Quad Flat Package)封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般在大规模或超大型集成电路中采用，其引脚数一般在100个以
上。用这种形式封装的芯片必须采用SMT表面安装技术将芯片与主板焊接起来。该封装方式具有四大特点：

5、四边无引线扁平封装(QFN)

QFN(Quad Flat Non-leaded package)封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装表现出面积比QFP小、高度比QFP低的特点;其中陶瓷
QFN也称为LCC(Leadless Chip Carriers)，采用玻璃环氧树脂印刷基板基材的低成本塑料QFN则称为塑料LCC、PCLC、P-LCC等。

采用QFN-56封装的DrMOS

传统的分立式DC/DC降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求，也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。

随着技术的革新与进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块已经成为了现实，这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而
提升功耗密度，通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和优质DC电流，这就是整合驱动IC的DrMOS。

由于CPU的低电压、大电流的发展趋势，对MOSFET提出输出电流大，导通电阻低，发热量低散热快，体积小的要求。MOSFET厂商除了改进
芯片生产技术和工艺外，也不断改进封装技术，在与标准外形规格兼容的基础上，提出新的封装外形，并为自己研发的新封装注册商标名称。

内部封装改进方向

除了外部封装，基于电子制造对MOS管的需求的变化，内部封装技术也在不断得到改进，这主要从三个方面进行：改进封装内部的互连技术、
增加漏极散热板、改变散热的热传导方向。

1、封装内部的互连技术

TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊线式的内部互连封装技术，当CPU或GPU供电发展到低电压、大电流时代，焊线式的SO-8封装就受到了封
装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳热阻等因素的限制。

         未来，随着电子制造业继续朝着超薄、小型化、低电压、大电流方向的发展，MOS管的外形及内部封装结构也会随之改变，以更好适应
制造业的发展需求。另外，为降低电子制造商的选用门槛，MOS管向模块化、系统级封装方向发展的趋势也将越来越明显，产品将从性能、成
本等多维度协调发展。

        而封装作为MOS管选型的重要参考因素之一，不同的电子产品有不同的电性要求，不同的安装环境也需要匹配的尺寸规格来满足。实际选
用中，应在大原则下，据实际需求情况来做抉择。

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