维安1000VMOS打破欧美日对高压CoolMOS的垄断

文章出处：未知人气：发表时间：2022-10-18 15:42

维安1000V MOSFET打破欧美日对高压CoolMOS的垄断

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IGBT和MOSFET的选用具体还得看充电桩的方案来做选择，一般情况下大功率直流充电桩才会选用IGBT。因此，尽管大功率快速充电是未
来趋势，但是由于大功率充电对IGBT模块的尺寸、重量、耐压性能等提出了更高的要求，同时大功率充电在成本、技术等方面尚存在许多挑战

IGBT和MOSFET做为功率器件一直都是通信电源及充电桩必不可少的开关器件，随看功率越来越大，所需要的开关器件电压及电流也越来
越高，然而两者使用有重合但应用也有不同，根据充电桩功率、开关频率、电压、电流、价格等综合因素考量，IGBT的优势在于高压大功率
，MOSFET的由于其抗冲击性好、不良率低通常用于低压大电流的领域。
一般选择应用IGBT或MOSFET主要还是由具体的方案决定，目前大多数充电桩公司因成本原因主要还是用MOSFET作为开关电源模块的
核心功率器件。如果要实现1000V以上、360A以上的大功率直流快充才会使用IGBT模块。但是，目前大功率快速充电有技术难度，很验证在
短期内解决这些问题，所以大部分企业还是使用MOSFET来实现。

目前高压大电流IGBT和MOSFET都是欧美国国家进口，技术被国外厂家掌控，成本高技术难度大，交付周期长成为制约国产厂商进入高
端市场的机会，对此维安WAYON针对全球市场，对850V及以上超高压MOSFET产品进行了技术重大创新，通过多年市场验证及产品技术积
累，开发出国内领先的工艺平台，创新性研发出超高压超结MOSFET功率器件，该产品具有封装更小、更高耐压、低导通电阻，
重磅推出的的高功率密度的800V－1000V以上的高压MOSFET产品填补了国产功率器件市场空白，彻底打破了欧美日垄断的局面，
使得国内客户在产品设计中降低了对进口产品的依存度，加速了国产替代的机会。

WAYON 超结MOSFET型号