率能半导体40V双通道H桥步进电机驱动芯片SS8841

文章出处：未知人气：发表时间：2024-05-04 20:57

40V高耐压/双通道H桥步进电机驱动芯片-SS8841T，支持多种细分功能，
适用于舞台灯光、办公自动化设备等多领域

一、SS8841芯片概述
SS8841T为舞台灯光和其它电机一体化应用提供一种双通道集成电机驱动方案。

SS8841T有两路H桥驱动，每个H桥可提供最大峰值电流2.5A和均方根电流1.75A(在24V和Ta = 25°C适当散热条件下)，可驱动
两个刷式直流电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管或者其它感性负载。双极步进电机可以以整步、2细分、4细分运行，或者
用软件实现高细分

二、芯片模式

SS8841T的每一个H桥的功率输出模块由N型功率MOSFET组成。每个H桥包含整流电路和限流电路。简单的并行数字控制接
口，衰减模式可选择为快衰减，慢衰减和混合衰减。

SS8841T提供了一种低功耗睡眠模式来关断内部电路，以达到非常低的静态电流。这种睡眠模式通过设置nSLEEP引脚来实现。
内部关断功能包含过流保护，短路保护，欠压锁定保护和过温保护，并提供一个故障输出管脚nFAULT引脚。

三、芯片功能

1.工作电压范围：8.2-40V；工作电流范围：1.75-2.5A

2.PWM（脉宽调制）控制接口

3.双通道H桥电流控制电机驱动器：单个或两个有刷直流电机；一个步进电机

4.低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）

5.睡眠模式低电流

6.内置3.3V基准电压

7.带散热片的表面贴装封装

8.固定频率下电流控制可选择：--2bits电流控制，提供4个电流台阶

四、芯片保护和特性

1、过流保护（OCP）

每个功率管的电流限制模拟电路通过移除栅极驱动来限制功率管的电流。

2、过温保护（TSD）

如果芯片温度超过安全范围，所有的 H 桥场效应管都将关断，并且 nFAULT 引脚将被拉低。一旦温度降至安全水平，将自动
恢复正常工作。

3、欠压保护（UVLO）

如果 VM 电压低于欠压锁定阈值，芯片内部所有电路都不工作并且内部逻辑都清零。直到 VM 电压升高至比 UVLO 阈值高时
才恢复工作。

五、产品应用
适用于舞台灯光、办公自动化设备、安防相机，打印机等多领域