维安半导体高压CoolMos打破国外友商垄断

文章出处：未知人气：发表时间：2022-10-18 16:15

维安半导体国产高压超结MOSFET技术突破瓶颈打破垄断

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功率器件是电子产品基本组成单元，任何一个产品里都少不了，可以做为供电，开关，限流，隔离需要用到很多，MOSFET按电压可
以分中低压，高压，就用于不同的产品里，其高压MOSFET由于其工艺要求高，研发难度大一直被欧美厂商牢牢把控，国产只能从竞争大，
利润低中低压MOS切入，随着中国高速发展，带动工业4.0，
一带一路特高压，工业自动化及新能源汽车对高压功率器件的需求大大增加，高压MOS作为主要器件被国产厂商做为必须要攻克的技术高
点，包括华润微，士兰微，东微，
维安半导体等都在大力投入发展。

MOSFET也就是场效应晶体管，按功能一般可以分为4种类型：N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型。

按工艺类型分：平面 MOSFET、深沟槽栅 MOSFET、SJ－ MOSFET、SGT MOSFET 等
按半导体材料分：SIC、GaN
按电压分：低压、中压、高压
按结构场效应分：结型场效应（JFET）、绝缘栅场效应（MOSFET）

高压功率MOSFET大多要求高开关频率与低功耗，应用中一般多用作开关器件使用，随着经济发展，工业自动化不断提高所带来的对
功率器件有更高性能的需求，针对高压MOSFET性能主要有几个方面的提升，高的输出功率，大电流，更高的频率，更低的功耗，更高的功
率密度，为了实现这些目标功率MOSFET经历了几代制程的演变，工艺改进，半导体材料发展都是为了提高MOSFE性能，减少体积，提高
密度。

高压MOS行业是已需求为主来驱动技术发展，具体是什么原因导致这个局面：
1.功率MOSFET整体发展方向是提高功率密度、降低功耗，
2.需要满足客户端特定性能需求MOSFET才能形成替代，技术更为先进的超结MOSFET成为主流，国产厂商需要更强的研发实力不断突
破材料及工艺限制，发展高端层次功率MOSFET的生产能力，可以帮助国产厂商实现高端领域产品核心竞争力，在工业化应用中更多的使
用国产高压功率器件，只有加强研发实力才能摆脱低端制造的帽子，才可以跟国外厂商同场PK。

高压MOSFET主要应用于：新能源、轨道交通、绿色照明、光伏逆变、汽车电子、5G机站、航空航天等

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