一、MBI聚积科技明星产品（2023–2026）

1. 共阴架构旗舰：MBI5762、MBI5780（2023）

• MBI5762：48 通道、最高 32 扫、7680Hz 刷新率、16bit 灰阶；主打XR / 虚拟制作 / 高端租赁
• 屏，点间距 P0.8–P4mm。
• MBI5780：48 通道、行列扫、最高 90 扫、Micro-LED 专用；适配 P0.4–P1.2mm 超微间距，低灰
• 均匀性优异。
• 核心突破：共阴架构 + PLL 倍频，比传统共阳省电 30–50%，降低面板温度与色偏，室内高阶屏首选

2. 达芬奇系列（2025）：MBI5292、MBI5756、MBI5762、MBI5780

• MBI5292（共阳旗舰）：16 通道、32 扫、19bit 灰阶（PAM+PWM）、7680Hz；HDR 精准、
• 低亮无偏色，面向演唱会 / VR/XR 拍摄级应用。
• 四大核心功能（全系列标配）：
  • 全域刷新：消除拍摄黑场，手机 / 相机拍摄无闪烁。
  • 低灰倍刷（2X–32X）：低亮度刷新率倍增，解决低灰闪烁 / 扫描线。
  • 低转折电压：大电流下功耗更低、发热更小。
  • 19bit HDR 灰阶：暗部细节更丰富、对比度更高、色准更佳。

3. Mini/Micro-LED 与车规背光：MBI5759、MBI6334、MBI6353Q

• MBI5759（2024）：48 通道、32 扫、共阴、BGA 封装；Mini-LED/Micro-LED 专用，集成度高、
• 布线极简。
• MBI6334（2024）：64 通道、8 扫、12bit、单颗 512 区调光；无人机遥控器屏量产，2000nits
• 高亮、百万对比度、98% DCI-P3。
• MBI6353Q（车规）：48 通道、4 扫、192 区调光；极氪 7X 悬浮中控屏量产，强光 / 低亮稳定
• 显示。

二、聚积科技新技术对LED 显示屏驱动的影响

1. 显示画质：从 “能看” 到 “拍摄级”

• 19bit 灰阶 + HDR：取代传统 16bit，低亮（0.06nit）无跳灰、无竖条、色偏显著降低。
• 全域刷新 + 低灰倍刷：解决手机 / 相机拍摄黑场、闪烁、扫描线，让人人都是摄影师成为可能。
• 高刷（7680Hz）+ 高帧率（240fps）：动态画面更流畅，VR/XR 虚拟制作无拖影。

2. 功耗与热管理：共阴架构成为主流

• 共阴 vs 共阳：同等亮度下省电 30–50%，面板温度降 5–10℃，寿命延长、稳定性提升。
• 低转折电压：大电流输出时功耗更低，户外高亮屏更节能。

3. 小间距 / Micro-LED 产业化加速

• 高集成 + 多扫（最高 90 扫）：单颗 IC 覆盖更多像素，PCB 面积减少 40%，成本下降、良率提升。
• MBI5780/5759直接支撑P0.4–P1.2mm超微间距量产，推动 Micro-LED 从实验室走向商用。

4. 聚积科技通过技术创新巩固全球LED驱动龙头

•    小间距驱动 IC 全球市占约60%，达芬奇系列进一步拉开与竞品的技术差距。
• 车规与背光市场快速起量，成为第二增长曲线。
•  
• 三、MBI聚积科技代理商华芯旺科技， LED 驱动技术进步方向（2026–2030）

1. 灰阶与画质：22bit+、HDR10+、动态 Gamma

• 22bit 灰阶：进一步提升暗部细节与对比度，满足8K/HDR专业显示需求。
• AI 动态 Gamma：实时优化不同场景亮度与色准，人眼舒适度更高。

2. 架构革新：共阴 + 共阳融合、TCON+Driver 集成

• 混合架构：共阴节能 + 共阳低成本优势结合，适配不同价位段。
• TCON+Driver 单芯片：减少外围器件、简化 PCB、提升信号完整性，Micro-LED/MIP核心方案。

3. Micro-LED 专用驱动：更高集成、更小尺寸、更低功耗

• 超高通道数（≥96）：单颗 IC 驱动更多像素，适配巨量转移后的高密度阵列。
• 微电流精准控制（μA 级）：解决 Micro-LED亮度不均、色偏、老化一致性问题。
• MIP（MicroLED in Package）：驱动与 LED 封装一体化，缩短链路、降低干扰、提升良率。

4. 车规与智能：AEC-Q100、功能安全、AIoT 互联

• 车规级（AEC-Q100 Grade 1）：-40℃~125℃宽温、高抗干扰、长寿命，适配新能源汽车中控 /
• 仪表 / AR-HUD / 尾灯。
• 功能安全（ISO 26262 ASIL-B）：故障诊断与冗余设计，车载显示零容错。
• AIoT 集成：驱动内置蓝牙 / Zigbee/MQTT，远程监控、能耗管理、故障预警，智慧城市 / 智慧座舱
• 核心能力。

5. 工艺与材料：28nm/14nm BCD、GaN、SiP

• 先进制程（28nm/14nm BCD）：集成度提升 40%、功耗降 30%、尺寸更小，适配Micro-LED / 可
• 穿戴。
• 氮化镓（GaN）：高频、高效、低损耗，户外大功率 / 车载高压驱动首选。
• 系统级封装（SiP）：驱动 + 电源 + 保护 + 通信集成，模组化、即插即用。