维安高压CoolMos管WMJ120N60CM助力充电桩发展
发表时间:2022-10-18 15:50
维安高压超结MOSFET WMJ120N60CM助力充电桩发展
2020年在经济下行压力很大的情况下,国家出台经济刺激计划,纷纷出台政策加码新基建,新能源汽车拥有巨大市场空间,其中充电
桩首当其充受到了众多资本的追捧,电动汽车未来能否发展好,取决于充电桩落地的速度及向传统加油站一样遍地开花,满足车主们随时随
地都可以快速充电。
整个充电桩行业投资很快会破百亿,进入黄金投资机会,拉动GDP增长。
2020年总理政府工作报告中提出,要加强新型基础建设,重点发展互联网储存云技术,5G基站全覆盖,快充充电桩,新能源汽车,助
力产业消费升级。新能源汽车快速发展都与其充电桩建设推广离不开,这也是第一次被写进政府工作报告重点关注可见其市场潜力巨大。
国家能源局也发表了支持新能源工作指导意见,提出要加强充电桩基础设施建设,解决新能源汽车的充电难,、充电慢、充电贵保障能
力。市场人市普遍分析认为,作为电动汽车大力推广的配套设施,标配的充电桩市场规模将大幅放量,迎来黄金发展期。
电动汽车有两个关键指标,续航里程提升及快速充电的要求在同时满足的情况下才有可能取代传统燃油车,而且充电桩的功率已高达
240KW到360KW。5G基站满载功率近4000W,是4G基站的3倍左右,面对这些用电大户,能耗问题将是未来经济发展中无法回避的问
题。降低耗电量,提升能源效率,是选择
功率半导体器件时的主要考虑因素。目前,功率MOSFET中TO-247封装是充电机、充电桩和5G基站高功率电源模块应用中最通用的封装
形式。 针对超低内阻的高压MOS产品需求,在常规TO-247封装不能满足的情况下,电源工程师往往会使用TO-264、SUPR TO-247等超
大体积封装来代替。
这种超大封装不仅不通用,且成本较高。 WAYON维安经过多年的SJ-MOS技术研发创新,开发出行业内超低导通电阻产品——WMJ120N60CM,
采用常规 TO-247封装的600V高压SJ-MOS,导通电阻Rdson低至16.5mΩ,能够有效提升电源功率密度,解决应用痛点。
图2 常规TO-247导通电阻Rdson 对比
图3常规TO-247 品质因数FOM对比
维安WMJ120N60CM具有业界领先的低导通电阻Rdson,在有效提升电源功率密度的同时又可节省了空间,因些非
常适合工程师朋友们在设计高功率电源模块时使用,中国已加入全球碳中和治理,未来20年是全球能源格局变化最大的时
代,各清结能源项目也大力发展,
但耗电问题依然是大家非常关注的,电动汽车充电桩模块电源,通信电源及电机等行业都会选择能满足能源效率的功率器件,
高压超结MOSFET迎来发展大机机遇。
敏矽微,思瑞浦3PEAK,维安,率能半导体
供应商产品线含国产MCU,电源IC,射频IC,MOS管,接口IC,功率IC,模拟IC,如有产品选型及样片需求,请联系 13923807831微信同号
- 率能半导体SDA6801国产替代FDA801|FDA802|FDA901车规级
- 率能SS6343国产替代MP6543/AN44143/A5931无刷电机驱动
- 率能50V双通道H桥步进电机驱动芯片SS6951A打印机
- 率能50V/7A/H桥直流电机驱动芯片SS6952T缝纫机
- 率能半导体40V双通道H桥步进电机驱动芯片SS8841