科普什么是超级结MOSFET（SJ-MOS）维安代理选华芯

发表时间：2022-02-10 11:58

科普什么是超级结MOSFET（SJ-MOS）？

工程师为了突破VDMOS工艺MOS导通电阻与反向击穿电压之间制约，半导体物理学界提出的一种新型MOS结构，称为Super Junction MOS(以下简称SJ-MOS),
其导通电阻与反向击穿电压的约束关系由之前的Ron∝ 提升为准线性即在较高反向击穿电压的同时，其导通电阻大大降低，这些静态参数的改善以及在应用电路中的性能
大家都比较熟知，实

际上，MOS产品在实际应用电路中的性能更大程度上决定于其动态参数特性，具体性能参数如下：

SJ-MOS在N层有柱形P层（P柱层）。P和N层交替排列。
通过施加VDS，耗尽层扩散至N层，但是其扩散至SJ-MOS中的方法与扩散至一般D-MOS中的方法有所不同。
如果是D-MOS的情况，电场强度在P／N层界面最强。当电场强度超过硅极限时，将发生穿通现象（击穿现象），这是电压极限。另一方面，如果是SJ-MOS的情况，电场强度在N层中是均匀的。
所以，SJ-MOS可以采用具有较低电阻的N层设计，实现低导通电阻产品。
SJ-MOS可实现与D-MOS相同的导通电阻，但其芯片尺寸比D-MOS中的更小。
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