率能半导体体SS6200兼容替代FD2004D半桥驱动
- 参数一:输入 3.3V/5V PWM 信号
参数二:支持 1MHz 高频开关
参数三:可驱动高侧和低侧两个 N-MOSFET
参数四:DFN2x2-8L 封装
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针对 SS6200-DF的技术参数、性能优势及市场应用如下:
SS6200-DF 是一款高性能单相 MOSFET 栅极驱动器,核心参数如下:
1、驱动能力:
可驱动高侧和低侧两个 N-MOSFET,支持高频开关(最高达 1MHz)。
输入兼容 3.3V/5V PWM 信号,适配主流控制器。
2、电源特性:
宽工作电压范围(具体数值未明确,但优化设计适配多种栅极电压)。
内置 自举二极管,减少外部元件需求,简化电路设计。
3、保护功能:
欠压锁定(UVLO):防止 VCC 电压不足时误操作。
自适应穿透保护:避免高/低侧 MOSFET 同时导通,降低开关损耗。
热关断(TSD):芯片过热时自动关断,提升可靠性。
4、封装与功耗:
DFN2x2-8L 封装(2mm×2mm),超小尺寸适配高密度 PCB 设计。
低静态功耗设计,适合电池供电设备。
高频高效:
支持 1MHz 高频开关,减少电感与电容体积,提升电源转换效率,适用于服务器电源、通信基站等高密度场景。
集成化设计:
内置自举二极管与自适应保护电路,减少外围元件数量,降低 BOM 成本和 PCB 布局复杂度。
高可靠性:
多重保护机制(UVLO、TSD)确保系统在异常工况下的稳定性,适合工业自动化与汽车电子等严苛环境。
小封装适配性:
DFN2x2-8L 封装满足便携式设备(如无人机、TWS 耳机)对空间与重量的严苛要求。
消费电子:
快充电源:用于手机/笔记本快充适配器,支持高频同步整流,提升效率至 90% 以上。
便携设备:TWS 耳机、智能手表等电池供电设备,依赖其低功耗与小封装特性7。
工业与通信:
工业电机驱动:驱动 BLDC 电机,适配伺服系统与机器人关节控制。
通信电源:5G 基站、光模块的 DC-DC 转换电路,满足高频与高可靠性需求。
新能源与储能:
光伏逆变器:优化 MOSFET 驱动效率,提升能量转换率。
储能系统:用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制模块,适配钠电池等新兴储能技术。
汽车电子:
车载充电机(OBC):支持高频开关,减少 EMI 干扰,符合车规级可靠性要求。
竞品对比:
相较于 TI 的 TPS62003DGSR(DC-DC 转换器),SS6200-DF 专注于 MOSFET 驱动,在高频与保护功能上更具优
势,但输出电流较低(需外接 MOSFET)。
与 DRV8833C 相比,SS6200-DF 支持更高频率,适合更复杂的电源拓普。
SS6200-DF 凭借高频性能、高集成度与可靠性,在消费电子、工业控制及新能源领域具有广泛适用性。
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