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屏蔽栅SGT MOSFET

WAYON维安WMB060N10HGS替代英飞凌BSC060N10NS3G

规格:内压100
材质:电流95A
工艺:PDFN5*6-8L
适用场所:SGT N Channel Power MOSFET

       WAYON维安推出WMB060N10HGS,PDFN5*6小封装,低内阻 ,大电流,完全兼容Infineon英飞凌BSC060N10NS3G,可用于音频控制板WAYON维安一级代理商,WAYON维安代理商华芯旺科技可提供样片及技术支持,欢迎来电询13923807831.

 

       WAYON维安的100V SGT 功率mosfet为高效率、高功率密度的开关电源提供了优越的解决方案,性能指标(FOM)降低了30%。
 

WAYON维安MOS管WMB060N10HGS功能特征概要

 

1.卓越的开关性能

2.最低内阻RDSON

3.超低的Q g和Q gd

4.优秀的栅电荷x R DS(on)产品(FOM)

5.符合RoHS标准的无卤素

 

WAYON维安MOS管WMB060N10HGS的优势

1.环保

2.提高效率

3.最高功率密度

4.需要较少的并联

5.最小的板空间消耗

6.易于设计的产品
 

WAYON维安MOS管WMB060N10HGS的应用

1.交直流开关电源的同步整流

2.48V–80V系统(即家用车辆、电动工具、卡车)的电机控制

3.隔离DC-DC转换器

4.48V系统中的开关和断路器

5.D类音频放大器


30V-250V SGT N Channel Power MOSFET

1.Part No.:WMB060N10HGS

2.Package:PDFN5*6-8L

3.VDS(V):100

4.Vgs Max(V):±20

5.ID(A)@TA=25℃(Max.):95

6.VGS(th)(V)(Typ.):3

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.):6

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.):/

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